韩国首尔2024年6月28日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）28日宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI* PC的业界最高性能固态硬盘（SSD，Solid State Drive）产品‘PCB01’。

* 端侧（On-Device）AI：在设备本身上实现AI运行，而非依赖物理分离的服务器进行计算。由于智能手机或PC等终端设备自行收集信息并进行计算，可提升AI功能的反应速度、加强用户定制性AI服务功能。

SK海力士表示：“公司业界率先将PCB01适用了‘PCIe* 5.0 x8接口**’技术，以显著提升数据处理速度等性能。继HBM等超高性能DRAM后，也在NAND闪存解决方案方面，公司成功开发最高标准的产品以引领面向AI的存储器市场。”

* PCIe（Peripheral Component Interconnect express）：用于数字设备主板上串行结构的高速输入/输出接口。

** 接口：在固态硬盘内NAND闪存和控制器之间数据输入/输出（I/O）接口的数量。随着此接口数量增加，PCIe的世代提升的同时，数据处理速度会有改善。x4接口产品专注于普通PC市场，而x8接口产品专注于高性能PC市场。

公司正在与全球PC客户进行对新产品的验证，计划验证完成后今年内开始量产，并同时推出面向大型客户和普通消费者的产品。

在面向PC的固态硬盘产品中，PCB01能提供业界最高标准的顺序读写速度，分别高达14GB/s（每秒14千兆字节）和12GB/s（每秒12千兆字节），这是一秒内能够运行AI学习和推理所需的大型语言模型*的速度。

*大型语言模型（LLM，Large Language Model）：一种基于大数据训练的语言模型，对执行生成式人工智能任务如文本生成、摘要、翻译等均发挥核心作用。

与上一代产品相比，PCB01的功耗效率提升了30%以上，可大幅提升大规模AI计算的稳定性。同时，SK海力士在该产品上应用了SLC*缓存（SLC Caching）技术。该技术使部分NAND闪存存储单元能够以高速的SLC模式运行，其不仅有助于提升AI应用的速度，还能提高普通PC的工作速度。

* SLC：NAND闪存存储器根据每个存储单元（Cell）中存储的数据位数（bit）分为SLC（Single Level Cell，1位）、MLC（Multi Level Cell，2位）和TLC（Triple Level Cell，3位）等不同规格。随着存储容量的增加，同一面积内可以存储更多的数据，但速度和稳定性会相应降低。SLC仅对所需数据具有提高处理速度的功能。

此外，PCB01还搭载了保护个人信息的安全功能。公司的技术团队在此产品中配置安全解决方案信任跟（ROT）*，以防止外部攻击和数据伪造、篡改，同时保护用户密码。PCB01将提供512GB、1TB（太字节）、2TB三种容量。

* 信任根（ROT，Root of Trust）：防止数据伪造、篡改，能确保安全的硬件模块

SK海力士NAND闪存解决方案委员会（N-S Committee）担当副社长安炫表示：“此新产品与前一代相比性能显著提升，目前几家面向端侧AI PC的中央处理器公司提出兼容性验证合作。公司计划顺利进行此产品的客户验证和量产，巩固面向AI的存储器市场内的领先地位。”

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SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器），NAND Flash（NAND快闪存储器）和CIS（CMOS图像传感器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。

韩国首尔2023年10月25日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）25日宣布， 公司开始推进"LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM"的商用化*，其目前移动DRAM中可实现9.6Gbps（每秒9.6千兆）最高速度。SK海力士表示，最近获得了将LPDDR5T DRAM适用于美国高通技术公司（Qualcomm Technologies，以下简称高通）最新第三代骁龙8移动平台（Snapdragon®8 Gen 3 Mobile Platform）的业内首次认证。

*LPDDR（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有"LP（Low Power，低功耗）"，最新规格为第七代LPDDR（5X），按1-2-3-4-4X-5-5X的顺序开发而成。LPDDR5T是SK海力士业内首次开发的产品，是第八代LPDDR6正式问世之前，将第七代LPDDR（5X）性能进一步升级的产品。

自今年1月开发出LPDDR5T DRAM以来，SK海力士与高通进行了兼容性验证合作。两家公司在结合LPDDR5T DRAM和高通的最新第三代骁龙8移动平台的智能手机上进行验证得出，两款产品都发挥出了优秀的性能。

SK海力士强调："公司的LPDDR5T DRAM成功完成与全球权威通信芯片公司高通等主要移动AP（Application Processor）供应商的性能验证，今后移动设备中LPDDR5T DRAM的布局将迅速扩大。"

公司计划向客户提供以LPDDR5T DRAM单品芯片结合而成的16GB（千兆）容量套装产品。该产品的数据处理速度为每秒77GB，其相当于1秒内可处理15部全高清（Full-HD，FHD）级电影。

另外，LPDDR5T DRAM可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压标准范围1.01~1.12V（伏特）下运行，在功耗方面也具备了优势。

SK海力士技术团队在开发该产品的过程中，采用了HKMG（High-K Metal Gate）*工艺，在运行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待，在下一代的LPDDR6 DRAM问世前，LPDDR5T DRAM在移动DRAM市场上占据很大比重。

*HKMG：在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK海力士于去年11月在移动DRAM上全球首次采用了HKMG工艺。

高通技术公司产品管理高级副总裁（Senior Vice President of Product Management）Ziad Asghar表示："第三代骁龙8产品可以低功耗下无延迟驱动生成型AI为基础的大语言模型（LLM）和大视觉模型（LVM）。骁龙移动平台和SK海力士的最高速移动DRAM相结合，智能手机用户将能够体验惊人的AI功能。"

SK海力士DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示："LPDDR5T DRAM成功满足了全球客户对超高性能移动DRAM需求，对此感到很高兴。"

柳副社长还补充道："预计今后智能手机将成长为驱动AI技术的核心应用。为此，需要通过移动DRAM持续提高智能手机的性能，公司将继续加强与高通的合作，努力提高该领域的技术能力。"

Snapdragon is a trademark or registered trademark of Qualcomm Incorporated.
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韩国首尔2023年6月8日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）8日宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前，公司于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。

SK海力士强调："公司以238层NAND闪存为基础，成功开发适用于智能手机和PC的客户端SSD（Client SSD）解决方案产品，并在5月已开始量产。公司在176层甚至在238层产品，都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力，期待这些产品在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。"

238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。并且也改善了约20%的读写性能，由此公司自信，可将为采用该产品的智能手机和PC客户提供更高的性能。

SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后，首先向移动端产品供应238层NAND闪存，随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0*的PC固态硬盘（SSD）和数据中心级高容量固态硬盘产品等。

*PCIe 5.0：PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）是为高速输入、输出数据而开发的串行结构的接口规格。PCIe 5.0可提供PCIe 4.0的二倍带宽（32GT/s，千兆传输/秒）。

SK海力士238层NAND担当副社长金占寿表示："公司今后将继续突破NAND闪存技术局限，并加强竞争力，在即将到来的市场反弹周期迎来大转机。"

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韩国首尔2023年2月1日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）今日发布截至2022年12月31日的2022财年及第四季度财务报告。公司2022财年结合并收入为44.6481万亿韩元，营业利润为7.0066万亿韩元，净利润为2.4389万亿韩元。2022财年营业利润率为16%，净利润率为5%。

SK海力士表示：“虽然去年销售额持续增长，但从下半年开始半导体市况持续低迷，因此营业利润与前一年相比有所减少。随着经营环境的不确定性提高，公司将减少投资和费用以集中于高成长性行业，最大限度地减少因市况恶化产生的影响。”

去年，公司在服务器和PC市场提升了高容量DRAM产品的供应量，同时向具有发展势头的AI（人工智能）、大数据、云端客户提升了本公司超前技术的DDR5和HBM等产品的销售。特别是数据中心SSD（固态硬盘）的销售收入，与去年相比去年，增加4倍的成果。

但是，从去年下半年起随着存储器需求减少，产品价格大幅下跌，公司的第四季度经营业绩由盈转亏。公司2022财年第四季度结合并收入为7.6986万亿韩元，营业亏损为1.7012万亿韩元，净亏损为3.5235万亿韩元。第四季度营业损失率为22%，净损失率为46%。这是公司自2012年第三季度以来首次出现季度营业亏损。

SK海力士表示：“虽然今年上半年的低迷市况在持续深化，但从全年整体来看，预计市况会越到下半年就越好。”业界预测，由于减少投资和减产的基调，半导体存储器企业的供应不见增加，因此产品库存将从第一季度开始减少。

此外，公司预测，IT企业将增加与产业高点相比价格大幅下降的存储器半导体的使用量，市场需求也将逐渐回升。

SK海力士财务担当副社长（CFO）金祐贤表示：“由于最近英特尔公司推出了兼容DDR5的新一代CPU（中央处理器），公司正关注着市场上出现以AI为基础的新服务器替换存储器需求的积极信号。SK海力士在面向数据中心的DDR5和基于176层NAND闪存的企业级SSD上拥有了全球顶级技术力量，期待在市场反弹时能够快速扭转局面。”

另外，就如公司在去年10月的财报发布时表示，今年的投资规模将维持与去年的19万亿韩元相比减少50%以上的基调。但是，公司计划持续投资DDR5/LPDDR5、HBM3等主力产品的量产和未来高成长领域。

金祐贤副社长表示：“公司将通过克服低迷市况，打造下更坚固的基石，尽最大努力成为全球超一流技术企业。”

• 2022财年财务报表

以合并报表为准                单位: 10亿韩元

• 2022财年第四季度财务报表

以合并报表为准                                               单位: 10亿韩元

 * 本报告根据K-IFRS（韩国会计准则）编制

请注意：本文涉及的财报相关内容仅代表截止2022年12月31日的初步资料。读者不得认为这些信息在以后仍然有效。此外，这些信息可能包括前瞻性陈述，涉及各种风险和不确定性，并可能导致实际结果出现重大差异。有关这些风险和不确定性的进一步讨论，读者应参考SK海力士向韩国交易所提交的文件。本文件既不是出售也不是要求出售SK海力士证券的要约。

"These materials are not an offer for sale of the securities of SK hynix Inc. in the United States. The securities may not be offered or sold in the United States absent registration with the U.S. Securities and Exchange Commission or an exemption from registration under the U.S. Securities Act of 1933, as amended. SK hynix Inc. does not intend to register any offering in the United States or to conduct a public offering of securities in the United States. "

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韩国首尔2023年1月12日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）12日宣布，公司研发的第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM获得了英特尔（Intel^®）近期上市的全新第四代Xeon^®服务器处理器（代号为Sapphire Rapids）兼容认证。

SK海力士表示：“公司采用1a纳米工艺的DDR5首次在支持DDR5的全新英特尔中央处理器（CPU）上获得兼容性认可，这是具有里程碑意义的成果。将通过目前在量产的DDR5积极应对增长趋势的服务器市场，尽早克服存储器半导体的低迷市况。”

在1月10日(美国时间)公司采用EUV（极紫外线）技术的1a纳米DDR5 DRAM产品获得了英特尔推出的第四代Xeon^®服务器处理器可支持的存储器认证。

业界一直将英特尔公司的“Sapphire Rapids”作为存储器半导体行业反弹的关键，期待着该产品的上市。因为新一代服务器用CPU上市后，现有的服务器需要进行更换，从而高性能存储器的销售会相应出现急剧增长，DDR5就可以满足需求高性能的客户要求。专家们预测，DDR5将尽早成为服务器DRAM市场的主力产品。

SK海力士的DDR5与DDR4相比，功耗最多可减少约20%，性能至少提升70%以上，有望为服务器客户提供高效能功耗比*和降低碳排放量的效果。

* 效能功耗比：每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标

在此次英特尔的DDR5认证，SK海力士还成功获得了第二代10纳米级(1y)DDR5的认证。据此，公司期待以广泛的技术为基础，可以提供客户16Gb、24Gb等多种DDR5产品，服务器DRAM的销售将进一步活跃。

SK海力士DRAM商品企划负责副社长柳成洙表示：“跟进英特尔Sapphire Rapids的上市，我们正在与多数客户为扩大DDR5的采用进行紧密合作，将在持续增长的服务器市场中巩固领先地位。”

英特尔内存和IO技术副总裁Dimitrios Ziakas博士表示：“英特尔一直与SK海力士、JEDEC共同努力，为了实现DDR5与我们最新的处理器优化并兼容紧密合作。第四代Xeon^®服务器处理器与DDR5将为数据中心客户提供最强的性能体验。”

另外，SK海力士还与英特尔合作发行了DDR5白皮书（White paper）。白皮书包含了DDR5的优点以及基于Sapphire Rapids的1a纳米级DDR5优秀性能等内容。公司期待今后对希望采用本公司DDR5的服务器客户，此白皮书能作为参考资料使用。

<SK海力士DDR5 DRAM开发成果>
- 2020年10月，推出全球首款DDR5 DRAM
- 2021年12月，全球首次提供24Gb DDR5样品
- 2023年1月，1a纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证

* Intel, the Intel logo, and other Intel marks are trademarks of Intel Corporation or its subsidiaries.

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韩国首尔2023年1月6日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）今日宣布，SK海力士副会长兼联合CEO朴正浩于在美国拉斯维加斯CES 2023开幕前一天与高通公司举行会谈探讨加强合作。

1月4日（美国时间），朴正浩副会长与SK海力士社长兼联合CEO郭鲁正及其他高层领导，与高通公司总裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon)在拉斯维加斯举行了会谈。

双方高层就众多话题展开讨论，涉及半导体与其相关的整体未来产业。

高通公司是全球最大的智能手机应用处理器供应商之一，并且一直致力于将业务扩展至汽车、消费、工业和物联网等应用领域。

SK海力士表示：“高通公司正在寻求业务扩展机会，此时举行高层会谈恰逢其时。我们期望此次会谈能够为双方更积极的交流铺平道路，为我们供应业界顶级的存储解决方案等国际合作进一步激活提供机会。”

朴副会长表示SK海力士与全球ICT公司的合作将不受地域与行业的限制：“我们将以我们的技术为依托，与全球科技公司积极合作，探索各种商业机会。”

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首尔2022年12月27日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于27日表示，公司将参与明年1月5日至8日在美国拉斯维加斯举行的世界最大的电子、IT展示会 -- "CES 2023"，展示主力存储器产品和新的产品阵容。

SK海力士强调："在此次CES上，公司同步SK集团的‘无碳未来'方向，决定将大幅减少碳排放的产品，以‘绿色数字解决方案'为主题进行展示。公司将公开的产品阵容不仅能减少环境影响，在性能和效率方面也比上一代大幅改善，期待能吸引全球科技客户和专家的众多关注。"

最近，随着AI、大数据、无人驾驶、元宇宙等尖端科技产业成长速度的加快，全球技术企业正在关注快速处理急剧增加的数据又能够提高耗能效率的存储器半导体。 SK海力士认为，将在CES上展示的产品具备了满足客户所需求的高效能功耗比*和性能。

* 效能功耗比：每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标

此次公司展示的核心产品是超高性能企业级SSD产品 PS1010 E3.S（以下简称PS1010）。PS1010是由多个SK海力士的176层4D NAND结合而成的模组产品,支持PCIe第五代(Gen 5)*标准。

* PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）:电子产品主板上串行结构的高速输入/输出接口。其特点是随着每一代的上升，数据传输率提高约一倍。

SK海力士技术团队解释说："服务器用存储器市场在低迷的情况下也在持续增长，在这种情况下，公司展示了汇聚最高竞争力技术的新产品。" 实际上，PS1010与上一代相比，读写速度分别最高提升了130%和49%。另外，该产品具备改善75%以上的功耗比，有望降低客户的服务器运营费用和碳排放量。

尹载然SK海力士副社长（NAND商品企划负责人）表示："在世界最大规模的展会中推出能够解决服务器客户痛点的SSD产品，感到非常自豪。期待以搭载自主开发的控制器与固件的产品为基础，公司的NAND事业竞争力进一步加强。"

与此同时，展会上SK海力士将展示适用于高性能计算（HPC，High Performance Computing）的新一代存储器产品，现有最高性能的DRAM"HBM3*"、采用存储器上添加运算功能的PIM*技术的"GDDR6-AiM"、灵活扩张存储器容量和性能的"CXL*存储器"等。

* HBM（High Bandwidth Memory）：垂直连接多个DRAM，比现有DRAM显著提升数据处理速度的高附加值、高性能的产品

* PIM（Processing-In-Memory）：在存储器半导体上添加运算功能，可以解决人工智能(AI)和大数据处理领域的数据传输停滞问题的新一代技术

* CXL（Compute Express Link）：为有效构建高性能计算系统，基于PCIe的新一代互联协议（Interconnect Protocol）

另外，SK海力士的CES展位还将同时展示SK集团旗下能源效率化子公司SK enmove的液浸冷却(Immersion Cooling)*技术。此技术可以降低半导体服务器启动温度，SK海力士计划今后扩大与集团成员公司以及外部合作伙伴的合作，致力于在整个半导体事业中创造新的附加价值。

* 液浸冷却（Immersion Cooling）: 将数据服务器直接浸入冷却油中冷却的新一代热管理技术，与现有的空冷式相比，冷却电力大幅减少，整体电力消耗量可减少约30%

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韩国首尔2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司'，www.skhynix.com)今日宣布成功开发出DDR5多路合并阵列双列直插内存模组(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*样品，这是目前业界最快的服务器DRAM产品。该产品的最低数据传输速率也高达8Gbps，较之目前DDR5产品4.8Gbps提高了80%以上。

* DDR(Double Data Rate)是一种DRAM标准，主要应用于服务器和客户端，目前已经发展至第五代。MCR DIMM是一种模块产品，将多个DRAM组合在一块主板上，能够同时运行两个内存列。

*内存列(RANK) ：从DRAM模块向CPU传输数据的基本单位。一个内存列通常可向CPU传送64字节(Byte)的数据。

该MCR DIMM产品采用了全新的方法来以提高DDR5的传输速度。虽然普遍认为DDR5的运行速度取决于单个DRAM芯片的速度，但SK海力士工程师在开发该产品时另辟蹊径，提高了模块的速度而非单个DRAM芯片的速度。

SK海力士技术团队在设计产品时，以英特尔MCR技术为基础，利用安装在MCR DIMM上的数据缓冲器(data buffer)*同时运行两个内存列。

*缓冲器(Buffer) ：安装在内存模块上的组件，用于优化DRAM与CPU之间的信号传输性能。主要安装在对性能和可靠性要求较高的服务器模块中

传统DRAM模块每次只能向CPU传输64个字节的数据，而在MCR DIMM模块中，两个内存列同时运行可向CPU传输128个字节的数据。每次传输到CPU的数据量的增加使得数据传输速度提高到8Gbps以上，是单个DRAM的两倍。

该产品的成功开发得益于与英特尔、瑞萨电子的合作。三家公司在从开发到速度和性能验证的各个阶段都进行了紧密的合作。

SK海力士DRAM产品策划担当副社长柳城洙认为这款产品的成功开发取决于不同技术的结合。柳城洙表示："SK海力士的DRAM模块设计能力与英特尔卓越的Xeon处理器、瑞萨电子的缓冲器技术融为一体。为确保MCR DIMM的稳定运行，模块内外数据缓冲器和处理器能够顺畅交互至关重要。"

数据缓冲器负责从中间的模块传输多个信号，服务器CPU则负责接受和处理来自缓冲器的信号。

柳副社长还表示："开发出业界速度最快的MCR DIMM充分彰显了SK海力士DDR5技术的又一长足进步。我们将继续寻求突破技术壁垒，巩固在服务器DRAM市场的领导地位。"

英特尔内存和IO技术副总裁Dimitrios Ziakas博士表示，英特尔与SK海力士在内存创新、针对服务器的高性能、可扩展的DDR5领域处于领先地位，在同一梯队的还有其他一些主要的行业合作伙伴。

"此次采用的技术源于英特尔和关键业界合作伙伴多年的共同研究，极大提高了英特尔Xeon处理器可提供的带宽。我们期待该技术能够应用到未来的英特尔Xeon处理器上，支持业界的标准化和多世代开发。"

瑞萨电子副总裁兼Memory Interface部门长Sameer Kuppahalli表示，该数据缓冲器从构思到实现产品化历经三年，"对于能够携手SK海力士和英特尔将该技术转化为优秀的产品，我们深感自豪。"

SK海力士预计，在高性能计算对于内存带宽提升需求的驱动下， MCR DIMM的市场将会逐步打开，公司计划在未来量产该产品。

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首尔2022年10月26日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）今日发布截至2022年9月30日的2022财年第三季度财务报告。公司2022财年第三季度结合并收入为10.9829万亿韩元，营业利润为1.6556万亿韩元，净利润为1.1027万亿韩元。2022财年第三季度营业利润率为15%，净利润率为10%。2022财年第三季度结合并收入环比减少20.5%，营业利润环比减少60.5%。 

SK海力士分析称，由于全球宏观经济环境下行，DRAM和NAND产品需求低迷，销量和价格都下滑，第三季度的销售额也同比减少。此外，该公司还表示，虽然提高了最新工艺10nm级第四代（1a）DRAM和176层4D NAND的销售比重和良品率，改善了成本竞争力，但价格降幅度大于成本节约幅度，营业利润也大幅减少。

公司还分析称，随着经营环境的不确定性持续，存储器半导体产业面临前所未有的行情恶化形势。这是因为个人电脑和智能手机的生产商的出货量也有所下降。

不过，该公司预测，用于数据中心服务器的存储器需求虽然短期内会减少，但长期需求仍将稳定增长。这是因为随着人工智能（AI）、大数据和元宇宙（Metaverse）等新行业的发展，大型数据中心企业（HyperScaler）继续在该领域进行投资。因此，SK海力士强调，"本公司在HBM3，DDR5/LPDDR5等高带宽DRAM产品的最尖端技术中处于领先地位，公司展现出巨大的长期成长潜力。" 

此外，公司还补充说明，"公司在今年第三季度业界首次研发了238层4D NAND，明年将扩大生产规模，确保成本竞争力，持续提高收益性。"

与此同时，SK海力士预测，供过于求的情况仍将持续一段时间。因此，公司决定将明年的投资规模从今年预计的15万亿韩元至20万亿韩元减少到50%以上的标准。     

SK海力士表示，今后将以收益性较低的产品为中心减少产量。也就是说，在一定时期内，将保持投资缩减和减产的基调，使市场的供需平衡恢复正常。                                                                                

卢钟元SK海力士社长（事业总管）表示："公司将基于我们在过去的历史中始终将危机转化为机遇的能力，我们将克服这次低迷，跃升为真正的存储器领导者。"

• 2022财年第三季度财务报表

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首尔2022年9月6日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于6日表示，公司为了奠定未来成长基础，将在韩国忠北清州市建设新半导体生产工厂M15X(eXtension)。

公司综合考虑市场情况等，决定在已确保的用地上提早开工M15的扩建工厂M15X。

SK海力士计划今年10月在韩国清州科技城产业园区内约6万平方米的用地开建M15X，并目标于2025年初竣工。

公司计划在今后5年内共投资15万亿韩元建设M15X工厂并引进生产设备。

M15X是复式结构，其规模与现有的清州M11和M12两座工厂的总和相近。

另外，SK海力士对于附近的M17新工厂计划，将考虑半导体市况等经营环境决定开工时间。

朴正浩SK海力士副会长表示："回顾过去的10年，公司在危机中因有展望未来的果断投资，之所以成长为国际企业。现在要应对未来的10年，M15X的开建将成为公司奠定未来成长基础的第一步。"

SK海力士在经营环境剧变的情况下，通过先发制人的投资，将存储器半导体市场的竞争力强化为全球最高水平。

在2012年，半导体产业的缩减投资趋势下，公司不顾亏损状态，比前一年大幅提升10%以上的投资，在当年年末成功扭亏为盈。此后，在市场不透明的情况下，SK海力士为了应对即将到来的存储器半导体繁荣期，在2015年果断做出建设利川M14的决定，最终从2017年开始两年间创下了历史最高业绩。

2012年并入SK集团的SK海力士以2015年宣布的"未来展望"为中心，持续了10年的投资。其内容是从2014年开始共投资46万亿韩元，包括利川M14在内共追加建设3个工厂。公司在2018年和2021年分别竣工清州M15和利川M16，提早实现了未来展望。

最近，存储器半导体的需求正在急剧减少。但是，由于存储器半导体市况变动周期呈缩短趋势，专家们预测，市况将从2024年开始逐渐恢复，并于2025年开始回升。

SK海力士应对2025年市况回升之际，提早为存储器半导体供应的扩张，计划了M15X的建设，公司期待M15X在即将到来的繁荣期起到重要角色。

关于SK海力士
SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器)，NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com，news.skhynix.com.cn。

• 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产
• 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存，并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性
• "公司将持续创新并不断突破技术瓶颈"

韩国首尔2022年8月3日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。

近日，SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示："自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技术的研发。此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积，其意义更加非凡 。"

* NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量（比特,bit）可分为SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell)、QLC(Quadruple Level Cell)、PLC(Penta Level Cell)等规格。单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以存储的数据越多。

当天，SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会（Flash Memory Summit 2022）*上首次亮相了238层NAND闪存新产品。在峰会主题演讲中，崔正达SK海力士NAND闪存开发担当说道："基于其4D NAND闪存技术，SK海力士全球首次成功研发了238层NAND闪存，进而确保了成本、性能、产品质量等层面的全球领先竞争力。公司将持续创新，并不断突破技术瓶颈。"

* 闪存峰会(FMS，Flash Memory Summit)：系每年定期在美国加州圣克拉拉举办的全球闪存芯片领域的最高级别研讨会。SK海力士于本次峰会与其NAND闪存解决方案子公司Solidigm联合进行了主题演讲。

SK海力士在2018年研发的96层NAND闪存就超越了传统的3D方式，并导入了4D方式。为成功研发4D架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术(CTF，Charge Trap Flash)*和PUC(Peri. Under Cell)* 技术。相比3D方式，4D架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。

* 电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash)

浮栅型(FG，Floating Gate)闪存技术将电荷存储在导体1)中，而CTF将电荷存储在绝缘体2)中，以解决单元间的干扰问题。因此，相比FG技术，CTF可缩小芯片的单元面积，同时提高数据的读写性能。

* PUC (Peri Under Cell)

将外围(Peri.)电路放置在存储单元的下方, 以最大化生产效率。

238层NAND闪存成功堆栈更高层数的同时，实现了业界最小的面积。新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比176层NAND闪存其生产效率也提高了34%。

此外，238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，相比前一代产品提高了50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了21%。可以说，SK海力士通过节省芯片的电力消耗，在ESG方面也取得了可圈可点的进步。

SK海力士计划先为cSSD（client SSD，主要应用范围为PC用存储设备）供应238层NAND闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器SSD等。公司还将于明年发布1Tb 密度的全新238层NAND闪存产品，其密度是现有产品的两倍。

首尔2022年7月27日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，www.skhynix.com）今日发布截至2022年6月30日的2022财年第二季度财务报告。公司2022财年第二季度结合并收入为13.811万亿韩元，营业利润为4.193万亿韩元，净利润为2.877万亿韩元。2022财年第二季度营业利润率为30%，净利润率为21%。

*公司2022财年第一季度结合并收入为12.156万亿韩元，营业利润为2.860万亿韩元，净利润为1.983万亿韩元

公司本季度的营收创下了历史上首次超过13万亿韩元的业绩。此前，该公司的最高季度营收是去年第四季度的12.377万亿韩元。

SK海力士表示：“第二季度虽然DRAM产品价格有所下降，但NAND价格反而上涨，公司的整体销量增加带动了营收的增长。并且，美元持续走强以及子公司Solidigm业绩的合并也成为了有利因素。”

另外，通过主力产品10nm级第四代(1a)DRAM和176层4D NAND生产良率的改善提升了收益性，公司继去年第四季度*之后，时隔两个季度恢复了4万亿韩元以上的营业利润和30%以上的营业利润率。

*公司2021财年第四季度营业利润为4.220万亿韩

公司还表示 ：“全球性物价上涨，中国部分地区的新冠肺炎疫情管控等艰难的经营环境下，公司仍然取得了有意义的经营业绩。但公司预测，由于搭载存储器的电脑和智能手机的出货量将低于原来的预测，并且服务器用存储器的需求也因客户的库存优先出货，预计下半年的存储器出货量将有所放缓。不过中长期来看，数据中心的存储器需求将持续成长。”

对于今后的经营计划，公司表示，“将密切关注下半年的产品库存水平的同时，慎重考虑明年的投资计划。”

卢钟元SK海力士社长（首席营销官）表示：“虽然最近全球经济的不确定性比较高，但是仍然对于内存产业的长期成长潜力充满信心。公司将灵活地适应经营环境的变化,集中精力加强公司的基础事业竞争力"。

• 2022财年第二季度财务报表

 * 本报告根据K-IFRS（韩国会计准则）编制

请注意：本文涉及的财报相关内容仅代表截止2022年6月30日的初步资料。读者不得认为这些信息在以后仍然有效。此外，这些信息可能包括前瞻性陈述，涉及各种风险和不确定性，并可能导致实际结果出现重大差异。有关这些风险和不确定性的进一步讨论，读者应参考SK海力士向韩国交易所提交的文件。本文件既不是出售也不是要求出售SK海力士证券的要约。

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首尔2022年6月9日 /美通社/ -- SK海力士（或称“公司”，www.skhynix.com）宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。

* HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器)：是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存，其数据处理速度大幅领先于传统 DRAM。HBM3 DRAM 是第四代 HBM 产品，此前三代分别为 HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及 HBM2E（第三代）。

SK海力士于去年十月宣布成功开发出业界首款 HBM3 DRAM，时隔七个月即宣布开始量产，这有望进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位。

随着人工智能和大数据等尖端技术的加速发展，全球主要科技企业正在探索创新方法，以快速处理增速迅猛的数据量。相较于传统 DRAM，HBM 在数据处理速度和性能方面都具有显著优势，有望获得业界广泛关注并被越来越多地采用。

英伟达（NVIDIA）在近日完成了对 SK海力士 HBM3 样品的性能评估。SK海力士将向英伟达系统供应 HBM3，而该系统预计将在今年第三季度开始出货。SK海力士也将按照英伟达的计划，在今年上半年增加 HBM3 产量。

备受期待的英伟达 H100 被认为是当前全球范围内最大、性能最强的加速器。SK海力士的 HBM3 带宽可达 819GB/s，有望增强加速计算的性能。这个带宽相当于能够在每秒传输 163 部全高清（Full-HD）电影（每部影片约 5GB）。

SK海力士社长（事业总管）卢钟元表示，与英伟达的紧密合作使得SK海力士在高端 DRAM 市场稳获一流的竞争力。“我们的目标是通过持续、开放式协同合作，成为洞悉和解决客户需求的解决方案提供商（Solution Provider）。”

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其中“间接经济效益 (包括纳税、就业、分红等)”部分为9.7201万亿韩元，“环境效益”部分为-9527亿韩元，“社会效益”的部分则为6499亿韩元。

得益于2021年创下公司成立以来最高记录的销售额，SK海力士该年度间接经济效益创造的社会价值较之2020年增长81%(+4.3465万亿韩元) ；社会效益方面，由于加大力度参与促进半导体生态系统发展及针对弱势群体的活动，所创造的社会价值增长44%(+1985亿韩元)。但受2021年全球半导体需求增长导致生产量增加的影响，温室气体排放总量增加，使得负面影响层面的社会价值增加了2% (-150亿韩元)。

就间接经济效益而言，公司在纳税、就业、分红等各个领域均有增长，其中因利润的增加，纳税额较上一年度增长160%(+2.3633万亿韩元)；就业方面，员工数量和薪资规模增长56% (+1.7245万亿韩元)。此外，通过积极回报股东，分红增加了32%(+2586亿韩元)。

但是，由于产量扩大导致资源消耗和温室气体排放量增加，SK海力士2021年在环境效益所创造的社会价值方面出现负增长。具体而言，资源消耗/环境污染领域的负面成本增加3%(-242亿韩元)，但低功耗产品/服务的业绩增长128%(+91亿韩元)部分抵消了负面影响。

SK海力士负责人表示：“通过积极参与绿色溢价制度*减少对环境影响，降低温室气体排放、扩大废水再利用等举措，我们单个生产单位的温室气体排放量比上一年有所下降。但作为一家企业，我们还是对环境产生了负面影响，对此我们深表歉意。今后，我们将继续为改善环境而努力。”

*绿色溢价制度：电力消费者为使用由可再生能源生产的电力，在现有电费基础上追加购买额外溢价的收费制度。

在共同发展方面的社会效益大幅提升。SK海力士一直为合作伙伴提供技术支持与教育培训，为促进半导体生态系统发展而努力。此外，公司通过与合作伙伴共同开发相关技术，为材料、零部件、设备的国产化做出了贡献。因此，去年共同发展成果同比增加了56%(+1806亿韩元)。

社会效益方面，公司在疫情期间主要以非线下方式持续开展活动，因此社会效益较2020年增长9%(+97亿韩元)。另外，通过社会性企业支持活动，在“提高弱势群体生活质量的成果”方面增长45%(+82亿韩元)。

SK海力士可持续经营担当副社长金润郁表示：“SK海力士自2019年始已连续四年公布社会价值成果，与利益相关方进行坦诚、透明的沟通。在创造社会价值方面，今后公司将加强对中长期目标‘社会价值 2030'的执行力度，强化ESG发展，为人类和社会的发展做出贡献。”

* 可登录公司全球新闻中心（news.skhynix.com.cn）查询 SK海力士创造社会价值的具体案例及详细计算公式

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首尔2022年4月27日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）今日发布截至2022年3月31日的2022财年第一季度财务报告。公司2022财年第一季度结合并收入为12.156万亿韩元，营业利润为2.860万亿韩元，净利润为1.983万亿韩元。2022财年第一季度营业利润率为24%，净利润率为16%。

每年的第一季度通常是半导体产业典型的淡季，但SK海力士的营收却创下了历史上首次超过12万亿韩元的业绩。这一营收超越了半导体市况最繁荣的*2018年第一季度业绩。公司得以创下如此佳绩，是因为本季度存储器产品价格的下降幅度比市场预期小，且本季营收包括了去年年末设立的子公司Solidigm的营收。据统计，以第一季度为准，2.860万亿韩元的营业利润也是仅次于2018年的历届第二高的营业利润。

* 公司2018财年第一季度结合并收入为8.720万亿韩元，营业利润为4.367万亿韩元

SK海力士表示："今年在供应链受阻等不确定市场环境下，部分IT产品的消费需求也有减缓。但公司灵活应对客户需求变化的同时，通过集中管理收益性的策略取得了良好的业绩。"公司又强调："随着最近存储器周期变动性的减少和周期本身的缩短，存储器产业将呈现持续增长的趋势。"

SK海力士同时表示，在过去销售的DRAM产品中发现了部分质量下降的现象，因此公司决定在本季度会计上反映相关费用。公司已完成相关原因分析，通过与客户协商将进行产品更换等补偿措施。公司以最合理的计算逻辑预估了补偿措施伴随的相关费用，于第一季度财报上反映了3,800亿韩元的一次性销售保障不确定负债。

虽然在第一季度产生了一次性费用，但是公司的技术开发与新一代产品生产等业务如期顺利进行中，因此公司预计，随后的季度业绩将不会受到影响。SK海力士表示："公司正在提高10纳米级第四代（1a）DRAM和176层4D NAND产品的生产良率从而扩大其生产比重，新一代产品的开发也在顺利进行中。"

卢钟元SK海力士社长（事业总管）表示："第一季度是季节性的淡季，然而公司仍然取得了有意义的业绩。随着最近面向服务器的存储器产品需求日益增加，我们预计存储器市况在下半年逐渐转好。"卢社长又补充道："目前业界面临着一定程度的设备供需问题，但SK海力士将持续努力提升工艺良率，以减少相关影响的同时尽力满足客户的相关需求。"

另外，SK海力士表示，为了加强董事会活动的独立性和多样性，公司修订了《独立董事候选人推荐委员会规定》。公司解释："为强化独立董事候选人的验证程序，并从ESG经营层面扩大女性独立董事候选人的推荐和任选，公司在相关规定上追加了相关条款。"

• 2022财年第一季度财务报表

请注意：本文涉及的财报相关内容仅代表截止2022年3月31日的初步资料。读者不得认为这些信息在以后仍然有效。此外，这些信息可能包括前瞻性陈述，涉及各种风险和不确定性，并可能导致实际结果出现重大差异。有关这些风险和不确定性的进一步讨论，读者应参考SK海力士向韩国交易所提交的文件。本文件既不是出售也不是要求出售SK海力士证券的要约。

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• SK海力士和Solidigm首次公开了结合SK海力士128层NAND闪存与Solidigm的SSD控制器和固件的合作产品。
• SK海力士和Solidigm将继续优化两家公司的运营，以创造协同效应和合作伙伴关系。

加州圣何塞和南韩首尔2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公开了两家公司共同开发的新企业级SSD（eSSD）产品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年底完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段后，在美国设立的SSD子公司。SK海力士收购英特尔NAND闪存及SSD业务后，时隔3个月公开了结合两家公司技术力量的新产品。

P5530是将SK海力士的128层4D NAND闪存和Solidigm的SSD控制器*和固件相结合的产品，该产品支持PCIe* Gen4接口（interface），将提供1TB，2TB和4TB容量选项。SK海力士和Solidigm针对特定数据中心使用案例和配置进行了包括产品性能优化在内的合作。

自Solidigm成立以来，两家公司展开了包括产品共同开发在内的全面合作，在拟定未来事业战略的同时强化囊括两家公司的共同价值观。SK海力士期待通过与Solidigm的合作，将其NAND闪存事业的竞争力提高至与DRAM事业同等的水平。

卢钟元SK海力士社长（事业总管）表示：“通过及时公布结合SK海力士和Solidigm竞争力的合作产品，我们计划在未来不断强化NAND闪存事业的竞争力。SK海力士和Solidigm将继续优化两家公司的合作关系，进而创造更大的协同效应。"

Rob Crooke Solidigm CEO表示："我们很高兴在Solidigm成立初期就与SK海力士形成强力的合作关系。我们齐心协力优化产品，为客户提供无可比拟的解决方案。以此次P5530产品为开端，我们将持续主导NAND产业并创造固态存储领域的全新范例。"

* 控制器（controller）：支持计算机系统主板和操作系统将NAND闪存作为存储设备识别和利用的芯片

* PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）: 用于数字设备主板的高速输入/输出接口；这种接口是一种连接存储设备的技术，可以支持每秒超过8GB的数据传输

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韩国首尔2022年2月16日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’）今日宣布，公司已开发出具备计算功能的下一代内存半导体技术“PIM（processing-in-memory，内存中处理）”¹⁾。

到目前为止，存储半导体负责保存数据，而非存储半导体（如CPU或GPU）负责处理数据是人们普遍的认知。尽管如此，SK海力士依然在新一代智能存储器领域积极摸索创新，进而首次公开公司在相关领域的研发成果。

SK海力士计划在2月底于美国旧金山举行的半导体领域最负盛名的国际学术大会 -- 2022年ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，国际固态电路会议）²⁾大会上发布PIM芯片技术的开发成果。随着PIM技术的不断发展，SK海力士期待存储半导体在智能手机等ICT产品发挥更为核心的作用，甚至在未来成功实现“存储器中心计算（Memory Centric Computing）”。

SK海力士还开发出了公司首款基于PIM技术的产品 - GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory，内存加速器^3））的样本。GDDR6-AiM是将计算功能添加到数据传输速度为16Gbps的GDDR6内存的产品。与传统DRAM相比，将GDDR6-AiM 与 CPU、GPU 相结合的系统可在特定计算环境中将演算速度提高至最高16倍。GDDR6-AiM有望在机器学习、高性能计算、大数据计算和存储等领域有广泛应用。

GDDR6-AiM的工作电压为1.25V，低于GDDR6⁴⁾内存的标准工作电压（1.35V）。不仅如此，PIM的应用还减少了与CPU、GPU的数据传输往来，从而降低了CPU及GPU的能源消耗，借此GDDR6-AiM成功使功耗降低80%。SK海力士相信，借助该产品的低能耗特性，公司得以减少设备的碳排放并改善公司的ESG经营成果。

此外，SK 海力士还计划与最近刚从SK电讯拆分出来的人工智能半导体公司SAPEON Inc.携手合作，推出将GDDR6-AiM和人工智能半导体相结合的技术。SAPEON Inc. CEO 柳秀晶表示：“近年来，随着人工神经网络数据的使用量迅速增加，针对相关计算特性进行优化的演算技术的需求也在日益增加的趋势。我们将结合两家公司的技术，在数据计算、成本和能耗方面最大限度地提高效率。”

SK海力士解决方案开发担当副社长安炫表示：“基于具备独立计算功能的PIM技术，SK海力士将通过GDDR6-AiM构建全新的存储器解决方案生态系统。公司将为不断调整业务模式并倡导技术创新的新方向而努力。”

1) PIM（processing-in-memory，内存中处理）：为内存半导体结合计算功能的下一代技术，系针对人工智能和大数据处理过程中数据传输瓶颈问题的解决方案。

2) ISSCC：指国际固态电路会议。该会议将于2022 年2月20日至24日线上举行，主题为“面向可持续世界的智能硅片（Intelligent Silicon for a Sustainable World）”

3) 加速器（Accelerator）：指由针对特定信息处理及演算需求专门设计的芯片组成的特殊功能硬件设备。

4) 图形DDR（GDDR）：由电子器件工程联合委员会（JEDEC）定义的图形DRAM的标准规格。图形DRAM的标准规格依GDDR3-GDDR5-GDDR5X-GDDR6迭代演变，是专门用于更快速地处理图形的内存规范。最近，图形DDR作为人工智能和大数据应用领域最为广泛采纳的内存解决方案而备受关注。

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韩国首尔2021年12月30日 /美通社/ -- SK海力士(或“公司”，www.skhynix.com)今日宣布，已于12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。继12月22日获得中国国家市场监督管理总局的批准后，SK海力士今日完成了第一阶段的后续流程，包括从英特尔接管SSD业务及其位于中国大连NAND闪存制造厂的资产。作为对价，SK海力士将向英特尔支付70亿美元。

此后，预计在2025年3月或之后的第二阶段交割时，SK海力士将支付20亿美元余款从英特尔收购其余相关有形/无形资产，包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工。届时，收购交易将最终完成。

新设立的美国子公司将运营此次收购的英特尔SSD业务。该新公司的名称定为“Solidigm”(www.solidigmtechnology.com)。作为solid-state与paradigm的合成词，这个名称寓意Solidigm致力于创造一种新的固态范式提供无与伦比的客户服务，为存储行业带来革新。

Solidigm的总部将设在加利福尼亚州圣何塞，负责此次收购的英特尔SSD业务的产品开发 、制造和销售。SK海力士社长兼co-CEO李锡熙将兼任该公司的Executive Chairman，领导第一阶段交割结束后的整合过程。与此同时，英特尔前高级副总裁Rob Crooke将被任命为该公司的CEO。

SK海力士、Solidigm和英特尔将密切合作，直至交易最终完成。

SK海力士认为，通过合并业务组合的协同效应，SK海力士将有机会将其NAND闪存业务竞争力大幅提升至比肩DRAM业务的全球领先水平。SK海力士在移动终端NAND闪存方面表现出色，而Solidigm则在企业级SSD（eSSD）方面更有优势。SK海力士将充分利用合并业务组合的协同效应。

SK海力士副会长兼co-CEO朴正浩表示，“我衷心欢迎Solidigm团队成员加入我们的大家庭。此次收购将为SK海力士的NAND闪存业务跃升至全球领先水平(Global Top Tier)带来突破性机遇。同时，SK海力士也将通过此次交易进一步向成为全球一流技术企业的目标迈进。”

Crooke表示，“Solidigm将是全球半导体行业冉冉升起的一颗新星，为重塑数据存储器和存储行业带来前所未有的新机遇。我们将坚定不移地引领数据产业向真正有利于人类发展的方向发展。”

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ISO 26262认证是国际标准化组织（ISO）于2011年制定的关于汽车功能安全系统的国际标准，旨在预防因汽车电气和电子系统故障引发的事故。此次授予SK海力士的这项认证是依据ISO 26262:2018最新版本的标准，其中新增了对汽车半导体的附加要求。在汽车行业，安全、质量和可靠性至关重要。因此，汽车零部件生产商必须满足ISO 26262标准。

SK海力士说明，获取这项认证为SK海力士引领车用存储半导体市场的发展奠定了坚实的基础，并强化了公司的产品竞争力。公司达到了业内汽车安全完整性等级（ASIL）最高评级，即ASIL-D认证，这是四个认证等级（A~D）中最高的等级，进一步证实了SK海力士的产品安全水平达到了业内最高水准。

本次通过FSM认证的SK海力士产品是8Gb LPDDR5 DRAM。LPDDR5是一款高容量、高性能、低功耗的内存组件，对于高级驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶汽车技术至关重要。SK海力士将继续巩固自身在汽车半导体市场的地位，为车用半导体产品群陆续追加通用闪存存储（UFS）和HBM2E、HBM3等高带宽内存等。

SK海力士汽车业务担当副社长沈大用表示：“这项认证证明了SK海力士的汽车半导体产品拥有世界领先的功能安全技术，得益于此，我们计划扩大与汽车行业客户的战略合作伙伴关系。”SK海力士品质系统担当副社长宋埈豪补充道：“为确保不断发展的汽车内存市场主导权，SK海力士将继续提升我们产品的安全性、质量和可靠性。”

根据市调机构Strategy Analytics的数据，到2028年，整个ADAS内存市场规模预计将增长近三倍，年均增长率（CAGR）将达到24.5%（以销售额为准）。

HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术*，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，是一种高价值产品，创新性地提高了数据处理速度。

SK海力士去年7月在业界首次开始批量生产HBM2E* DRAM后，时隔仅1年零3个月开发了HBM3，巩固了该市场的主导权。

SK海力士强调，“通过此次HBM3，不仅实现了目前为止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，还大幅提高了质量水平。”

SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输 163部全高清(Full-HD)电影(每部5GB)。与上一代HBM2E相比，速度提高了约78%。

与此同时，该产品还内置了ECC校检(On Die-Error Correction Code)。HBM3通过该内置型ECC校检可以自身修复DRAM单元(cell)的数据的错误，因此产品的可靠性也大幅提高。

此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。特别是24GB是业界最大的容量。为了实现24GB，SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10^-6m)，相当于A4纸厚度的1/3，然后使用TSV技术垂直连接12个芯片。

HBM3将搭载高性能数据中心，有望适用于提高人工智能(AI)完成度的机器学习(Machine Learning)和分析气候变化，新药开发等的超级计算机。

负责SK海力士DRAM开发的车宣龙副社长表示，“该公司推出了全球首款HBM DRAM，引领了HBM2E市场，并在业界内首次成功开发了HBM3。公司将巩固在高端存储器市场的领导力，同时提供符合ESG经营的产品，尽最大努力提高客户价值。”

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