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韓國首爾2022年8月3日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于8月3日宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存。
圖1. SK海力士成功研發全球最高層238層4D NAND閃存
近日，SK海力士向客戶發送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產。公司表示："自2020年12月完成176層NAND閃存研發以來，時隔僅1年7個月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技術的研發。此次238層NAND閃存在達到業界最高堆棧層數的同時實現了全球最小的面積，其意義更加非凡 。"
* NAND閃存芯片根據每個單元(Cell)可以存儲的信息量（比特,bit）可分為SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell)、QLC(Quadruple Level Cell)、PLC(Penta Level Cell)等規格。單元信息存儲容量越大，意味著單位面積可以存儲的數據越多。
當天，SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）*上首次亮相了238層NAND閃存新產品。在峰會主題演講中，崔正達SK海力士NAND閃存開發擔當說道："基于其4D NAND閃存技術，SK海力士全球首次成功研發了238層NAND閃存，進而確保了成本、性能、產品質量等層面的全球領先競爭力。公司將持續創新，并不斷突破技術瓶頸。"
* 閃存峰會(FMS，Flash Memory Summit)：系每年定期在美國加州圣克拉拉舉辦的全球閃存芯片領域的最高級別研討會。SK海力士于本次峰會與其NAND閃存解決方案子公司Solidigm聯合進行了主題演講。
SK海力士在2018年研發的96層NAND閃存就超越了傳統的3D方式，并導入了4D方式。為成功研發4D架構的芯片，公司采用了電荷捕獲型技術(CTF，Charge Trap Flash)*和PUC(Peri. Under Cell)* 技術。相比3D方式，4D架構具有單元面積更小，生產效率更高的優點。
* 電荷捕獲型技術 (CTF，Charge Trap Flash)
浮柵型(FG，Floating Gate)閃存技術將電荷存儲在導體1)中，而CTF將電荷存儲在絕緣體2)中，以解決單元間的干擾問題。因此，相比FG技術，CTF可縮小芯片的單元面積，同時提高數據的讀寫性能。
圖2. CTF技術原理
* PUC (Peri Under Cell)
將外圍(Peri.)電路放置在存儲單元的下方, 以最大化生產效率。
圖3. PUC技術原理
238層NAND閃存成功堆棧更高層數的同時，實現了業界最小的面積。新產品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產出更多的芯片，因此相比176層NAND閃存其生產效率也提高了34%。
此外，238層NAND閃存的數據傳輸速度為2.4Gbps，相比前一代產品提高了50%，芯片讀取數據時的能源消耗也減少了21%。可以說，SK海力士通過節省芯片的電力消耗，在ESG方面也取得了可圈可點的進步。
SK海力士計劃先為cSSD（client SSD，主要應用范圍為PC用存儲設備）供應238層NAND閃存，隨后將其導入范圍逐漸延伸至智能手機和高容量的服務器SSD等。公司還將于明年發布1Tb 密度的全新238層NAND閃存產品，其密度是現有產品的兩倍。
圖4. SK海力士成功研發全球最高層238層4D NAND閃存
